Integrated circuit fabrication technique for constructing novel MEMS devices, specifically band-pass filter resonators, in a manner compatible with current integrated circuit processing, and completely encapsulated to optimize performance and eliminate environmental corrosion. The final devices may be constructed of single-crystal silicon, eliminating the mechanical problems associated with using polycrystalline or amorphous materials. However, other materials may be used for the resonator. The final MEMS device lies below the substrate surface, enabling further processing of the integrated circuit, without protruding structures. The MEMS device is about the size of a SRAM cell, and may be easily incorporated into existing integrated circuit chips. The natural frequency of the device may be altered with post-processing or electronically controlled using voltages and currents compatible with integrated circuits.

Técnica de la fabricación del circuito integrado para construir los dispositivos de la novela MEMS, los resonadores específicamente band-pass del filtro, de una manera compatible con el circuito integrado actual que procesa, y encapsulado totalmente para optimizar funcionamiento y para eliminar la corrosión ambiental. Los dispositivos finales se pueden construir del silicio del solo-cristal, eliminando los problemas mecánicos asociados a usar los materiales polycrystalline o amorfos. Sin embargo, otros materiales se pueden utilizar para el resonador. El dispositivo final de MEMS miente debajo de la superficie del substrato, permitiendo la transformación posterior del circuito integrado, sin estructuras que resaltan. El dispositivo de MEMS está sobre el tamaño de una célula de SRAM, y se puede incorporar fácilmente en virutas de circuito integrado existentes. La frecuencia natural del dispositivo se puede alterar con el post-processing o controlar electrónicamente usando los voltajes y las corrientes compatibles con los circuitos integrados.