In a semiconductor memory device having a redundant cell array, a replacement control circuit stores in advance a faulty address in an address space assigned to the memory cell array and information for specifying the dimension of the faulty address, compares each of external addresses XA and YA with the stored faulty address, and detects their coincidence. When the external address coincides with the faulty address, a redundant row or a redundant column constituting the redundant cell array is selected and replaced with the faulty cell, on the basis of the information representing the dimension of the faulty address. By this operation, the faulty cell on the memory cell array can be flexibly relieved, and the flexibility of redundancy can be improved.

En un dispositivo de memoria de semiconductor que tiene un arsenal de célula redundante, un circuito de control del reemplazo almacena por adelantado una dirección culpable en un espacio de dirección asignado al arsenal y a la información de célula de memoria para especificar la dimensión de la dirección culpable, compara cada uno de las direcciones externas XA y YA con la dirección culpable almacenada, y detecta su coincidencia. Cuando la dirección externa coincide con la dirección culpable, una fila redundante o una columna redundante que constituye el arsenal de célula redundante se selecciona y se substituye por la célula culpable, en base de la información que representa la dimensión de la dirección culpable. Por esta operación, la célula culpable en el arsenal de célula de memoria puede ser relevada fexiblemente, y la flexibilidad de la redundancia puede ser mejorada.