A sensor or a memory element comprises a fixed or free ferromagnetic layer. To increase the ease of writting the free layer (for memories) or the fixed layer (for sensors) the layer to be written or switched comprises multilayer configuration comprising two ferromagnetic sublayers separated by a non-magnetic spacer layer, the two ferromagnetic sublayers being magnetically coupled in such manner that their magnetization directions are anti-parallel and the device comprises means for directing a in-plane switching or re-setting current through the multilayered configuration, the current direction being transverse to the magnetization directions of the magnetically coupled sub-layers.

Ένας αισθητήρας ή ένα στοιχείο μνήμης περιλαμβάνει ένα σταθερό ή ελεύθερο σιδηρομαγνητικό στρώμα. Για να αυξήσει την ευκολία το ελεύθερο στρώμα (για τις μνήμες) ή το σταθερό στρώμα (για τους αισθητήρες) το στρώμα που γράφεται ή που μεταστρέφεται περιλαμβάνει την πολυστρωματική διαμόρφωση περιλαμβάνοντας δύο σιδηρομαγνητικά υποστρώματα που χωρίζονται από ένα non-magnetic στρώμα πλήκτρων διαστήματος, τα δύο σιδηρομαγνητικά υποστρώματα μαγνητικά που συνδέονται με τέτοιο τρόπο ότι οι κατευθύνσεις μαγνήτισής τους είναι αντιπαράλληλες και η συσκευή περιλαμβάνει τα μέσα για μια-ΕΠΊΠΕΔΗ μετατροπή ή το ρεύμα μέσω της πολυστρωματικής διαμόρφωσης, η τρέχουσα κατεύθυνση που είναι εγκάρσια στις κατευθύνσεις μαγνήτισης των μαγνητικά συνδεμένων υποστρωμάτων.