A non-volatile memory apparatus has a volatile memory device that stores a
first address conversion table, and a non-volatile memory device that
stores a second address conversion table. A physical location of the
second address conversion table stored in the non-volatile memory device
is obtained based on a logic sector address relative to a received request
and the first address conversion table stored in the volatile memory
device. The second address conversion table stored in the non-volatile
memory device is obtained based on the physical location obtained by a
first address obtaining device. Data is written in the non-volatile memory
apparatus based on the logic sector address relative to the request
received by a receiving device and the second address conversion table.
The memory device also performs error correction check and correction,
renews the second address conversion table. The second address conversion
table is renewed in units of pages, the physical location in the
non-volatile memory device is designated in units of blocks each
containing a plurality of pages.
Un appareillage de mémoire non-volatile a un bloc de mémoires volatil qui stocke une première table de translation d'adresses, et un bloc de mémoires non-volatile qui stocke une deuxième table de translation d'adresses. Un endroit physique de la deuxième table de translation d'adresses stockée dans le bloc de mémoires non-volatile est obtenu a basé sur une adresse de secteur de logique relativement à une demande reçue et à la première table de translation d'adresses stockées dans le bloc de mémoires volatil. La deuxième table de translation d'adresses stockée dans le bloc de mémoires non-volatile est obtenue a basé sur l'endroit physique obtenu par une première adresse obtenant le dispositif. Des données sont écrites dans l'appareillage de mémoire non-volatile basé sur l'adresse de secteur de logique relativement à la demande reçue par un dispositif de réception et la deuxième table de translation d'adresses. Le bloc de mémoires exécute également le contrôle de correction d'erreurs et la correction, remplace la deuxième table de translation d'adresses. La deuxième table de translation d'adresses est remplacée dans les unités des pages, l'endroit physique dans le bloc de mémoires non-volatile est indiquée dans les unités des blocs chacune qui contient une pluralité de pages.
