An electrode of a metal, which is one of Group IV and VI elements, is deposited on an n-type In.sub.x Al.sub.y Ga.sub.1-x-y N layer. Alternatively, after an electrode material of carbon, germanium), selenium, rhodium, tellurium, iridium, zirconium, hafnium, copper, titanium nitride, tungsten nitride, molybdenum or titanium silicide, is deposited on an n-type In.sub.x Al.sub.y Ga.sub.1-x-y N layer or a p-type In.sub.x Al.sub.y Ga.sub.1-x-y N layer, an impurity for increasing the carrier concentration of the semiconductor layer is ion-implanted, and the annealing is carried out. Thus, it is possible to provide a light emitting semiconductor device, which has a low contact resistance and a sufficient bond strength to the In.sub.x Al.sub.y Ga.sub.1-x-y N layer while maintaining the crystallinity of the In.sub.x Al.sub.y Ga.sub.1-x-y N layer.

Un electrodo de un metal, que es uno del grupo IV y VI los elementos, se deposita en un n-tipo capa de In.sub.x Al.sub.y Ga.sub.1-x-y N. Alternativomente, después de un material del electrodo del carbón, del germanio), del selenio, del rodio, del telurio, del iridio, del circonio, del hafnium, del nitruro del cobre, titanium, del nitruro del tungsteno, del molibdeno o del silicide del titanio, se deposita en un n-tipo capa de In.sub.x Al.sub.y Ga.sub.1-x-y N o un p-tipo capa de In.sub.x Al.sub.y Ga.sub.1-x-y N, una impureza para aumentar la concentración de portador de la capa del semiconductor ion-se implanta, y se realiza el recocido. Así, es posible proporcionar un dispositivo de semiconductor que emite ligero, que tiene una resistencia baja del contacto y una suficiente fuerza en enlace a la capa de In.sub.x Al.sub.y Ga.sub.1-x-y N mientras que mantiene la cristalinidad de la capa de In.sub.x Al.sub.y Ga.sub.1-x-y N.