A capacitor on a semiconductor configuration is formed with a high-.epsilon. dielectric or a ferroelectric material. A first noble-metal-containing storage electrode has a plurality of horizontal lamellae connected to one another via a support structure. The support structure is arranged on one or preferably two opposite external flanks of the lamellae. During production, firstly (inter alia by deposition of a sequence of layers with an alternating low and high etching rate) a fin stack negative mold, in particular made from p.sup.+ -polysilicon, is formed, which is then filled conformally with the electrode material.

Un condensateur sur une configuration de semi-conducteur est formé avec un diélectrique de high-.epsilon. ou un matériel ferroelectric. Une première électrode noble-métal-contenante de stockage a une pluralité de lamelles horizontales reliées à une une autre par l'intermédiaire d'une structure de soutènement. La structure de soutènement est arrangée sur un ou de préférence deux flancs externes opposés des lamelles. Pendant la production, premièrement (entre autres par le dépôt d'un ordre des couches avec alterner le bas et élevé taux gravure à l'eau-forte) un moule négatif de pile d'aileron, en particulier fait à partir de p.sup.+ - le polysilicon, est formé, qui est alors rempli conformally de matériel d'électrode.