Fabrication of an MO disc, the formation of a master pattern of servo and track information, and the subsequent transfer of that pattern to a series of pits and grooves on a substrate. On top of that substrate, at least one sacrificial layer is provided atop a relatively hard layer. The recording stack may be provided with both silicon nitride and silicon dioxide top layers, with the silicon dioxide layer acting as a sacrificial layer to ensure that the hard layer, of silicon nitride, remains at the end of the process. A layer of aluminum or aluminum alloy may be deposited, with the aluminum plugs filling the grooves and pits (created by the embossed servo information) to a level higher than any of the adjacent layers of silicon dioxide, silicon nitride, or similar dielectric layer. Since the polishing rate of aluminum can be far faster than that of the silicon dioxide, then the aluminum can be etched or otherwise removed down to a level equal to or slightly below a planar surface with the silicon dioxide, with the silicon dioxide layer allowing for some small level of over polishing. The silicon nitride layer is protected completely; the silicon dioxide layer partially remains and is partially removed; and the aluminum metal which fills the grooves and pits would rise only to a level substantially equal the very flat top surface of the silicon dioxide.

Fabricação de um disco do MO, a formação de um teste padrão mestre da informação do servo e da trilha, e transferência subseqüente desse teste padrão a uma série dos poços e dos sulcos em uma carcaça. No alto dessa carcaça, ao menos uma camada sacrificial é fornecida sobre uma camada relativamente dura. A pilha da gravação pode ser fornecida com o nitride de silicone e camadas superiores do dióxido do silicone, com a camada do dióxido do silicone que age como uma camada sacrificial para assegurar-se de que a camada dura, de nitride de silicone, remanesça no fim do processo. Uma camada da liga de alumínio ou de alumínio pode ser depositada, com os plugues de alumínio que enchem os sulcos e os poços (criados pela informação servo gravada) a um nível mais altamente do que algumas das camadas adjacentes de dióxido do silicone, de nitride de silicone, ou de camada dieléctrica similar. Desde que a taxa lustrando do alumínio pode ser distante mais rápida do que aquela do dióxido do silicone, a seguir o alumínio pode ser gravado ou de outra maneira removido para baixo a um nível igual ou ligeiramente abaixo de uma superfície planar com o dióxido do silicone, com a camada do dióxido do silicone permitindo algum nível pequeno de lustrar do excesso. A camada do nitride de silicone é protegida completamente; a camada do dióxido do silicone remanesce parcialmente e é removida parcialmente; e o metal de alumínio que enche os sulcos e os poços levantar-se-ia somente a um igual do nível substancialmente a superfície superior muito plana do dióxido do silicone.