The specification describes thin film transistor integrated circuits wherein the TFT devices are field effect transistors with inverted structures. The interconnect levels are produced prior to the formation of the transistors. This structure leads to added flexibility in processing. The inverted structure is a result of removing the constraints in traditional semiconductor field effect device manufacture that are imposed by the necessity of starting the device fabrication with the single crystal semiconductor active material. In the inverted structure the active material, preferably an organic semiconductor, is formed last in the fabrication sequence.

Η προδιαγραφή περιγράφει τα ολοκληρωμένα κυκλώματα κρυσταλλολυχνιών λεπτών ταινιών όπου οι συσκευές TFT είναι κρυσταλλολυχνίες επίδρασης τομέων με τις δομές. Τα επίπεδα διασύνδεσης παράγονται πριν από το σχηματισμό των κρυσταλλολυχνιών. Αυτή η δομή οδηγεί στην προστιθέμενη ευελιξία στην επεξεργασία. Η δομή είναι ένα αποτέλεσμα της άρσης των περιορισμών στην παραδοσιακή κατασκευή συσκευών επίδρασης τομέων ημιαγωγών που επιβάλλονται από την ανάγκη την επεξεργασία συσκευών με το ενεργό υλικό ημιαγωγών ενιαίου κρυστάλλου. Στη δομή το ενεργό υλικό, κατά προτίμηση ένας οργανικός ημιαγωγός, διαμορφώνεται στο τέλος στην ακολουθία επεξεργασίας.