An infrared laser structure is stacked on top of a red laser structure with both having an inverted or p-side down orientation. The red/infrared stack laser structure is inverted and wafer fused to a blue laser structure to form a red/infrared/blue monolithic laser structure. The top semiconductor layer of the inverted red/infrared stack laser structure is a GaInP fusion bonding layer which will be wafer fused to the top semiconductor layer of the blue laser structure which is a GaN cladding/contact layer.

Una estructura infrarroja del laser se apila encima de una estructura roja del laser con ambos que tienen abajo invertido o del p-lado una orientación. La estructura del laser del apilado de red/infrared se invierte y la oblea está fundida a una estructura azul del laser para formar una estructura monolítica del laser de red/infrared/blue. La capa superior del semiconductor de la estructura invertida del laser del apilado de red/infrared es una capa de la vinculación de la fusión de GaInP que será oblea fundida a la capa superior del semiconductor de la estructura azul del laser que es una capa de GaN cladding/contact.