A semiconductor device having a planar integrated circuit interconnect and process of fabrication. The planar integrated circuit comprises a substrate having a first line wire formed in the substrate, a dielectric layer formed on the substrate, a second line wire formed in the dielectric layer, a contact via formed within the dielectric layer extending through the dielectric layer from the second line wire to the first line wire, and a dummy via which extends into the dielectric layer and is filled with a low dielectric material.

Ein Halbleiterelement, das eine planare Schaltungverknüpfung und einen Prozeß der Herstellung hat. Die planare integrierte Schaltung enthält ein Substrat, das eine erste Linie die Leitung hat, die im Substrat, eine dielektrische Schicht gebildet wird, die auf dem Substrat, eine zweite Linie die Leitung gebildet wird, die in der dielektrischen Schicht gebildet wird, ein Kontakt über gebildet innerhalb der dielektrischen Schicht, die durch die dielektrische Schicht von der zweiten Linie Leitung auf die erste Linie Leitung verlängert, und über die eine Attrappe in die dielektrische Schicht verlängert und mit einem niedrigen dielektrischen Material gefüllt wird.