Nonvolatile ferroelectric memory stabilizes a reference level for obtaining
a fast response speed and a reference level free from a noise. The
nonvolatile memory device can include a cell array unit having at least
one reference bitline, a plurality of main bitlines on one side of the
reference bitline, and a plurality of pairs of first and second split
wordlines in a direction crossing the bitlines. An equalizing unit
equalizes adjacent bitlines inclusive of a reference bitline, among the
main bitlines, and a precharge level adjustor adjusts a precharge level of
the bitline in response to a combination of a first precharge control
signal and a second precharge control signal. A sense amplifier unit is
for sensing a signal on the main bitline, and a reference level generating
unit is for receiving the reference bitline signal, and forwarding the
reference bitline signal as a reference voltage for the sense amplifiers.
La memoria ferroelectric non volatile stabilizza un livello di riferimento per ottenere una velocità veloce di risposta e un livello di riferimento liberamente da un rumore. Il dispositivo di memoria non volatile può includere un'unità di allineamento delle cellule che ha almeno un bitline di riferimento, una pluralità di bitlines principali da un lato del bitline di riferimento e una pluralità di accoppiamenti wordlines di in primo luogo ed in secondo luogo spaccati in un senso che attraversa i bitlines. Un'unità di pareggiamento livella i bitlines adiacenti compresi di un bitline di riferimento, fra i bitlines principali e un regolatore del livello di precarica regola un livello di precarica del bitline in risposta ad una combinazione di un primo segnale di controllo di precarica e di un secondo segnale di controllo di precarica. Un'unità dell'amplificatore di senso è per il rilevamento del segnale sul bitline principale e un livello di riferimento che genera l'unità è per la ricezione del segnale di bitline di riferimento e la spedizione il segnale di bitline di riferimento come tensione di riferimento per gli amplificatori di senso.