Group III-V nitride semiconductors are used as light emitters for optoelectronic devices. To provide the desired range of bandgaps and band offsets in heterostructure devices, InGaN layers have to be grown. InGaN layers are difficult to grow because poor lattice mismatch between group III-V nitride alloys. Thus, a plurality of gratings or grooves are formed in the group III-V nitride layer in order to relieve strain between the group III-V nitride layer and the active region. The plurality of gratings allows segregation of In in a manner that optimizes the wavelength of light produced.

Gruppe III-V Nitridhalbleiter werden als helle Emitter für optoelektronische Vorrichtungen benutzt. Die gewünschte Strecke der bandgaps und des Bandes zur Verfügung zu stellen versetzt in den Heterostrukturvorrichtungen, InGaN Schichten müssen gewachsen werden. InGaN Schichten sind schwierig zu wachsen, weil schlechte Gitterfehlanpassung zwischen Gruppe III-V Nitrid legiert. So werden eine Mehrzahl der Vergitterungen oder Nuten in der Gruppe III-V Nitridschicht gebildet, um Belastung zwischen der Gruppe III-V Nitridschicht und der aktiven Region zu entlasten. Die Mehrzahl der Vergitterungen erlaubt Abtrennung von in in gewissem Sinne der optimiert die Wellenlänge des Lichtes produziert.