A system for electroplating a semiconductor wafer is set forth. The system comprises a first electrode in electrical contact with the semiconductor wafer and a second electrode. The first electrode and the semiconductor wafer form a cathode during electroplating of the semiconductor wafer. The second electrode forms an anode during electroplating of the semiconductor wafer. A reaction container defining a reaction chamber is also employed. The reaction chamber comprises an electrically conductive plating solution. At least a portion of each of the first electrode, the second electrode, and the semiconductor wafer contact the plating solution during electroplating of the semiconductor wafer. An auxiliary electrode is disposed exterior to the reaction chamber and positioned for contact with plating solution exiting the reaction chamber during cleaning of the first electrode to thereby provide an electrically conductive path between the auxiliary electrode and the first electrode. A power supply system is connected to supply plating power to the first and second electrodes during electroplating of the semiconductor wafer and is further connected to render the first electrode an anode and the auxiliary electrode a cathode during cleaning of the first electrode.

Ένα σύστημα για μια γκοφρέτα ημιαγωγών εκτίθεται. Το σύστημα περιλαμβάνει ένα πρώτο ηλεκτρόδιο σε ηλεκτρική επαφή με την γκοφρέτα ημιαγωγών και ένα δεύτερο ηλεκτρόδιο. Το πρώτο ηλεκτρόδιο και η γκοφρέτα ημιαγωγών διαμορφώνουν μια κάθοδο κατά τη διάρκεια της ηλεκτρολυτικής επιμετάλλωσης της γκοφρέτας ημιαγωγών. Το δεύτερο ηλεκτρόδιο διαμορφώνει μια άνοδο κατά τη διάρκεια της ηλεκτρολυτικής επιμετάλλωσης της γκοφρέτας ημιαγωγών. Ένα εμπορευματοκιβώτιο αντίδρασης που καθορίζει μια αίθουσα αντίδρασης υιοθετείται επίσης. Η αίθουσα αντίδρασης περιλαμβάνει μια ηλεκτρικά αγώγιμη λύση επένδυσης. Τουλάχιστον μια μερίδα κάθε ένα από το πρώτο ηλεκτρόδιο, το δεύτερο ηλεκτρόδιο, και η γκοφρέτα ημιαγωγών έρχονται σε επαφή με τη λύση επένδυσης κατά τη διάρκεια της ηλεκτρολυτικής επιμετάλλωσης της γκοφρέτας ημιαγωγών. Ένα βοηθητικό ηλεκτρόδιο είναι διατεθειμένο εξωτερικό στην αίθουσα αντίδρασης και τοποθετημένος για την επαφή με τη λύση επένδυσης που βγαίνει την αίθουσα αντίδρασης κατά τη διάρκεια του καθαρισμού του πρώτου ηλεκτροδίου για με αυτόν τον τρόπο να παρέχει μια ηλεκτρικά αγώγιμη πορεία μεταξύ του βοηθητικού ηλεκτροδίου και του πρώτου ηλεκτροδίου. Ένα σύστημα παροχής ηλεκτρικού ρεύματος συνδέεται με τη δύναμη επένδυσης ανεφοδιασμού στα πρώτα και δεύτερα ηλεκτρόδια κατά τη διάρκεια της ηλεκτρολυτικής επιμετάλλωσης της γκοφρέτας ημιαγωγών και συνδέεται περαιτέρω για να δώσει το πρώτο ηλεκτρόδιο μια άνοδο και το βοηθητικό ηλεκτρόδιο μια κάθοδο κατά τη διάρκεια του καθαρισμού του πρώτου ηλεκτροδίου.