Disclosed is a non-volatile semiconductor memory apparatus, having floating gate electrodes, from which multi-value data can be accurately read out. A memory cell transistor (40) is provided in a row with a plurality of reference transistors (50), and a plurality of such rows are selectively connected by a word line (43). Reference potentials (Va.about.Vc) are written to the reference transistors (50) simultaneous to the writing of data to the memory cell transistor (40). In read mode, following the completion of the writing operation, memory data is determined by comparing reference potentials (VR1.about.VR3) which have been read out from the reference transistors (50), with a potential (VBL) which has been read out from the memory cell transistor (40).

É divulgado um instrumento permanente da memória de semicondutor, tendo os elétrodos de porta flutuando, de que os dados do multi-valor podem exatamente ser lidos para fora. Um transistor da pilha de memória (40) é fornecido em uma fileira com um plurality dos transistor da referência (50), e um plurality de tais fileiras é conectado seletivamente por uma linha da palavra (43). Os potenciais da referência (Va.about.Vc) são escritos aos transistor da referência (50) simultâneos à escrita dos dados ao transistor da pilha de memória (40). Na modalidade lida, seguindo a conclusão da operação da escrita, dados da memória é determinado comparando os potenciais da referência (VR1.about.VR3) que foram lidos para fora dos transistor da referência (50), com um potencial (VBL) que seja lido para fora do transistor da pilha de memória (40).