A titanium layer is formed on a substrate with chemical vapor deposition (CVD). First, a seed layer is formed on the substrate by combining a first precursor with a reducing agent by CVD. Then, the titanium layer is formed on the substrate by combining a second precursor with the seed layer by CVD. The titanium layer is used to form contacts to active areas of substrate and for the formation of interlevel vias.

Eine Titanschicht wird auf einem Substrat mit Absetzung des chemischen Dampfes (CVD) gebildet. Zuerst wird eine Samenschicht auf dem Substrat vom Kombinieren eines ersten Vorläufers mit einem Reduktionsmittel von CVD gebildet. Dann wird die Titanschicht auf dem Substrat vom Kombinieren eines zweiten Vorläufers mit der Samenschicht von CVD gebildet. Die Titanschicht wird verwendet, um Kontakte zu den Beschriftungsbereichen des Substrates und für die Anordnung von interlevel vias zu bilden.