There is described a method of forming a semiconductor device in which a contact plug penetrates through an interlayer insulating film. The method is capable of formation of a multilayer wiring structure of small resistance. Contact holes are formed in an interlayer oxide film laid on a silicon substrate by etching, through use of a CF-based gas plasma. An organic layer deposited at the bottom of the contact holes is removed through cleaning etching through use of a plasma of a mixed gas consisting of CF.sub.4 and O.sub.2. After removal of the organic layer, a conductive contact plug is formed in each of the contact holes.

On décrit une méthode de former un dispositif de semi-conducteur en lequel une prise de contact pénètre par un film isolant de couche intercalaire. La méthode est capable de la formation d'une structure multicouche de câblage de petite résistance. Des trous de contact sont formés dans un film d'oxyde de couche intercalaire étendu sur un substrat de silicium par graver à l'eau-forte, par l'utilisation d'un plasma de gaz de CF-based. Une couche organique déposée au fond des trous de contact est enlevée par gravure à l'eau-forte de nettoyage par l'utilisation d'un plasma d'un gaz mélangé se composant de CF.sub.4 et d'O.sub.2. Après déplacement de la couche organique, une prise conductrice de contact est formée dans chacun des trous de contact.