A semiconductor-device-producing substrate and method for producing the substrate which is inexpensive and good in quality and which has a large-area surface layer. A photoelectric conversion device and method uses the semiconductor-device-producing substrate, with high efficiency being obtained by means of the large-area light-receiving surface and three-dimensional structure of the photoelectric conversion device. Semiconductor granular crystals are arranged in at least one layer on a semiconductor substrate and connected and fixed to one another by heating or by a chemical vapor-phase deposition method to thereby form a semiconductor-device-producing substrate. An active layer of one conduction type is formed on the substrate and then another active layer of the other conduction type is formed on the surface of the first-mentioned active layer by a chemical vapor-phase deposition method or by a diffusion method to thereby form a PN junction surface having a three-dimensional structure. As a result, a solar cell or a light-emitting diode high in efficiency can be obtained.

Ein Halbleiter-Vorrichtung-produzierendes Substrat und eine Methode für das Produzieren des Substrates, das billig und in der Qualität gut ist und das eine Großbereich Deckschicht hat. Eine photoelektrische Umwandlung Vorrichtung und eine Methode benutzt das Halbleiter-Vorrichtung-produzierende Substrat, wenn die hohe Leistungsfähigkeit mittels des Großbereichs erreicht ist, der Oberflächen- und dreidimensionale Struktur der photoelektrischen Umwandlung Vorrichtung Licht-empfängt. Granulierte Kristalle des Halbleiters werden in mindestens einer Schicht auf einem Halbleitersubstrat geordnet und angeschlossen und befestigt an einem anders, indem man oder durch eine chemische Dampf-Phase Absetzungmethode, zum eines Halbleiter-Vorrichtung-produzierenden Substrates dadurch zu bilden heizt. Eine aktive Schicht von einer Übertragung Art wird auf dem Substrat gebildet und dann wird eine andere aktive Schicht der anderen Übertragung Art auf der Oberfläche der zuerst erwähnten aktiven Schicht durch eine chemische Dampf-Phase Absetzungmethode oder durch eine Diffusion (Zerstäubung) Methode gebildet, um eine PN aktive Fläche dadurch zu bilden, die eine dreidimensionale Struktur hat. Infolgedessen können eine Solarzelle oder eine lichtemittierende Diode, die in der Leistungsfähigkeit hoch sind, erhalten werden.