Polycrystalline group III-nitride semiconductor materials such as GaN and alloys of GaN and other group III-nitrides are deposited as layers on polycrystalline and non-crystalline substrates. The polycrystalline GaN layers can be formed by solid-phase crystallizing amorphous material or by directly depositing polycrystalline material on the substrates. The polycrystalline GaN material can be incorporated in light-emitting devices such as light-emitting diodes (LEDs). LED arrays can be formed on large-area substrates to provide large-area, full-color active-matrix displays.

Τα πολυκρυσταλλικά υλικά ημιαγωγών ΙΙΙ-ΝΙΤΡΙΔΊΩΝ ομάδας όπως GaN και τα κράματα GaN και άλλων ΙΙΙ-ΝΙΤΡΙΔΊΩΝ ομάδας κατατίθενται ως στρώματα στα πολυκρυσταλλικά και μη-κρυστάλλινα υποστρώματα. Τα πολυκρυσταλλικά στρώματα GaN μπορούν να διαμορφωθούν από το solid-phase κρυσταλλώνοντας άμορφο υλικό ή με άμεσα να καταθέσουν το πολυκρυσταλλικό υλικό στα υποστρώματα. Το πολυκρυσταλλικό υλικό GaN μπορεί να ενσωματωθεί στις εκπέμπουσες φως συσκευές όπως οι εκπέμπουσες φως δίοδοι (LEDs). Οι σειρές των οδηγήσεων μπορούν να διαμορφωθούν στα υποστρώματα μεγάλος-περιοχής για να παρέχουν την μεγάλος-περιοχή, επιδείξεις ενεργός-μητρών πλήρης-χρώματος.