A mask for etching a relatively thin gate insulating film formed in a gate insulating film forming region is formed by patterning a photoresist film, and the mask is used for introducing an impurity for adjusting the threshold voltages of n-channel field-effect transistors and p-channel field-effect transistors having the relatively thin gate insulating film into regions on the semiconductor substrate not covered with the mask.

Un masque pour graver à l'eau-forte un film isolant de porte relativement mince formé dans un film isolant de porte formant la région est constitué en modelant un film de vernis photosensible, et le masque est employé pour présenter une impureté pour ajuster les tensions de seuil des transistors d'effet de champ de n-canal et des transistors d'effet de champ de p-canal ayant le film isolant de porte relativement mince dans des régions sur le substrat de semi-conducteur non couvert de masque.