A method of exposing an alignment mark defined in a first side of a semiconductor wafer includes the step of engaging a second side of the wafer with a wafer chuck. The method also includes the step of positioning the wafer in a chamber having a photochemical reactant gas present therein during the engaging step. Moreover, the method includes the step of impinging laser beams on the first side of the wafer such that a reactant specie is generated from the photochemical reactant gas. Yet further, the method includes the step of removing material from the first side of the wafer with the reactant specie. An apparatus for exposing an alignment mark defined in a first side of a semiconductor wafer is also disclosed.

Метод подвергать действию метка выравнивания определенная в первой стороне вафли полупроводника вклюает шаг включать вторую сторону вафли с chuck вафли. Метод также вклюает шаг располагать вафлю в камеру имея фотохимический настоящий момент газа реактанта в этом во время включая шага. Сверх того, метод вклюает шаг impinging лазерныйа луч на первой стороне вафли такие что specie реактанта произведено от фотохимического газа реактанта. Но продвиньте, метод вклюает шаг извлекать материал от первой стороны вафли с specie реактанта. Прибор для подвергать действию метка выравнивания определенная в первой стороне вафли полупроводника также показан.