The invention relates to a process and a device for metallization of semiconductor structures, with which areas of the surface can be connected to be electrically conductive using strip conductors in one or a plurality of planes, and contacts between the strip conductors of different planes. The process for producing metallic coatings on semiconductor structures by depositing from a vapor phase under vacuum, in trenches produced for the strip conductors and holes for strip conductor connection in the substrate material such as SiO.sub.2 or other inorganic and organic materials is characterized in that a known per se pulsed vacuum-arc evaporator is used, a barrier layer being deposited on the surface of the trenches and holes of the substrates using the plasma of the evaporator and/or the trenches and holes being filled with low-impedance strip conductor material from a further plasma of said type of evaporator. The invention describes a device for carrying out the process which can be used, along with the device, to metal-coat trenches and holes with a high aspect ratio without hollow spaces.

A invenção relaciona-se a um processo e a um dispositivo para o metallization das estruturas do semicondutor, com que as áreas da superfície podem ser conectadas para ser eletricamente condutores se usando condutores da tira em uma ou um plurality dos planos, e dos contatos entre os condutores da tira de planos diferentes. O processo para produzir revestimentos metálicos em estruturas do semicondutor depositando de uma fase do vapor sob o vácuo, nas trincheiras produzidas para os condutores e os furos da tira para a conexão do condutor da tira no material da carcaça tal como SiO.sub.2 ou outros materiais inorgánicos e orgânicos é caracterizado que por si mesmo um evaporador pulsado sabido do vácuo-arco está usado, uma camada de barreira que estão sendo depositados na superfície das trincheiras e furos das carcaças usando o plasma do evaporador e/ou das trincheiras e os furos que estão sendo enchidos com o material do condutor da tira do baixo-low-impedance de um plasma mais adicional de tipo dito de evaporador. A invenção descreve um dispositivo para realizar o processo que pode ser usado, junto com o dispositivo, trincheiras do metal-revestimento e furos com uma relação de aspecto elevada sem espaços ocos.