An electron-emitting apparatus according to the present invention comprises (A) a substrate, which has a first major surface and a second major surface that are positioned opposite each other, (B) an electron-emitting device, which includes a first electrode, to which a first voltage is applied, and a second electrode, to which a voltage Vf is applied, that are mounted, with an intervening interval, on the first major surface, (C) an anode electrode, which is located opposite and at a distance H from the first major surface, (D) first voltage application means, for applying to the second electrode the voltage Vf that is higher than the first voltage, and (E) second voltage application means, for applying to the anode electrode a voltage Va that is higher than the voltage Vf, wherein a space defined between the anode electrode and the electron-emitting device is maintained in a reduced-pressure condition, and wherein, when a value Xs=H*Vf/(.pi.*Va) is established for a plane that is substantially perpendicular to the first major surface, a width w of the second electrode, in a direction substantially parallel to the first major surface, equals or exceeds 0.5 times the value Xs and is smaller than or equals 15 times the value Xs.

Ein Elektron-ausstrahlender Apparat entsprechend der anwesenden Erfindung enthält (a) ein Substrat, das eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche hat, das gegenüber von einander in Position gebracht werden, (b) eine Elektron-ausstrahlende Vorrichtung, die eine erste Elektrode miteinschließt, auf die eine erste Spannung zugetroffen wird, und eine zweite Elektrode, auf die eine Spannung Vf zugetroffen wird, das angebracht werden, mit einem intervenierenden Abstand, auf der ersten Hauptoberfläche, (c) eine Anode Elektrode, der gegenüber von und in einem Abstand H von der ersten Hauptoberfläche sich befindet, (d) erste Spannung Anwendung bedeutet, für das Zutreffen auf die zweite Elektrode der Spannung Vf, die höher ist, als die erste Spannung, und (e) zweite bedeutet Spannung Anwendung, für das Zutreffen auf die Anode Elektrode von von einem Spannung Virginia, die höher als die Spannung Vf ist, worin ein Raum, der zwischen der Anode Elektrode und der Elektron-ausstrahlenden Vorrichtung definiert wird, in einer unter vermindertem Druck Bedingung beibehalten wird und worin, wenn ein Wert Xs=H*Vf/(.pi.*Va) für eine Fläche hergestellt wird, die zur ersten Hauptoberfläche im wesentlichen senkrecht ist, eine Breite W der zweiten Elektrode, in einer Richtung, die zur ersten Hauptoberfläche im wesentlichen parallel ist, 15mal der Wert Xs entspricht oder übersteigt 0.5mal der Wert Xs und ist kleiner als oder entspricht.