Integrated circuit devices include a first dielectric layer, an electrically insulating layer on the first dielectric layer and an an aluminum oxide buffer layer formed by atomic layer deposition (ALD) and stabilized by heat treatment at a temperature of less than about 600.degree. C., between the first dielectric layer and the electrically insulating layer. The first dielectric layer may comprise a high dielectric material such as a ferroelectric or paraelectric material. The electrically insulating layer may also comprise a material selected from the group consisting of silicon dioxide, borophosphosilicate glass (BPSG) and phosphosilicate glass (PSG). To provide a preferred integrated circuit capacitor, a substrate may be provided and an interlayer dielectric layer may be provided on the substrate. Here, a metal layer may also be provided between the interlayer dielectric layer and the first dielectric layer. The metal layer may comprise a material selected from the group consisting of Pt, Ru, Ir, and Pd.

Schaltungvorrichtungen schließen eine erste dielektrische Schicht ein, eine elektrisch Isolierschicht auf der ersten dielektrischen Schicht und eine Aluminiumoxydpufferschicht, die durch Atomschichtabsetzung (ALD) gebildet wird und durch Wärmebehandlung bei einer Temperatur von kleiner als über 600.degree, die stabilisiert ist. C., zwischen der ersten dielektrischen Schicht und der elektrisch Isolierschicht. Die erste dielektrische Schicht kann ein hohes dielektrisches Material wie ein ferroelectric oder paraelectric Material enthalten. Die elektrisch Isolierschicht kann ein Material auch enthalten, das von der Gruppe vorgewählt wird, die aus Silikondioxid, borophosphosilicate Glas (BPSG) besteht und phosphosilicate Glas (PSG). Um einen bevorzugten Schaltungkondensator zur Verfügung zu stellen, kann ein Substrat zur Verfügung gestellt werden und eine dielektrische Schicht der Zwischenlage kann auf dem Substrat zur Verfügung gestellt werden. Hier kann eine Metallschicht zwischen der dielektrischen Schicht der Zwischenlage und der ersten dielektrischen Schicht auch zur Verfügung gestellt werden. Die Metallschicht kann ein Material enthalten, das von der Gruppe vorgewählt wird, die aus Pint, Ru, Ir und Palladium besteht.