On a TFT substrate, a TFT using a low-temperature poly silicon thin film as an active layer is formed and a plurality of pixel electrodes are formed over the TFT and its electrode wiring, with an interlayer insulating layer between. In a common electrode formed on an opposite substrate opposite the TFT substrate with a liquid crystal layer between, an alignment controlling window for the liquid crystal is formed at a predetermined position opposite each of the pixel electrodes. A wide viewing angle is achieved by dividing an alignment area of liquid crystal molecules in one pixel area. The liquid crystal layer is vertically aligned and can be operated at a low driving voltage obtained by a poly silicon TFT by including fluorine liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy and fluorine side chains in the liquid crystal.

Auf einem TFT Substrat wird ein TFT, das einen Dünnfilm des niedrigtemperaturpolysilikons als aktive Schicht verwendet, gebildet und eine Mehrzahl der Pixelelektroden werden über dem TFT und seiner Elektrode Verdrahtung, mit einer Isolierschicht der Zwischenlage zwischen gebildet. Im Common bildete sich eine Elektrode auf einem gegenüberliegenden Substrat gegenüber von dem TFT Substrat mit einer flüssigen Kristallschicht zwischen, ein Ausrichtung steuerndes Fenster für den flüssigen Kristall wird gebildet in einer vorbestimmten Position gegenüber von jeder der Pixelelektroden. Ein breiter Betrachtung Winkel wird erzielt, indem man einen Ausrichtung Bereich der flüssigen Kristallmoleküle in einem Pixelbereich teilt. Die flüssige Kristallschicht ist vertikal ausgerichtet und kann an einer niedrigen treibenden Spannung laufen gelassen werden, die durch ein Polysilikon TFT erreicht wird, indem man die Fluorflüssigen Kristallmoleküle mit einschließt, die negative dielektrische Seitenketten der Anisotrophie und des Fluors im flüssigen Kristall haben.