A process for applying a metallization interconnect structure to a semiconductor workpiece having a barrier layer deposited on a surface thereof is set forth. The process includes the forming of an ultra-thin metal seed layer on the barrier layer. The ultra-thin seed layer having a thickness of less than or equal to about 500 Angstroms. The ultra-thin seed layer is then enhanced by depositing additional metal thereon to provide an enhanced seed layer. The enhanced seed layer has a thickness at all points on sidewalls of substantially all recessed features distributed within the workpiece that is equal to or greater than about 10% of the nominal seed layer thickness over an exteriorly disposed surface of the workpiece.

Een proces om een metallisering toe te passen verbindt structuur aan een halfgeleiderwerkstuk dat onderling een barrièrelaag heeft die op een oppervlakte wordt gedeponeerd daarvan vooruit wordt geplaatst. Het proces omvat zich het vormen van een uiterst dunne laag van het metaalzaad op de barrièrelaag. De uiterst dunne zaadlaag die een dikte heeft van minder dan of gelijk aan ongeveer 500 Angstroms. De uiterst dunne zaadlaag wordt dan verbeterd door extra metaal daarop te deponeren om een verbeterde zaadlaag te verstrekken. De verbeterde zaadlaag heeft wezenlijk een dikte op alle punten op zijwanden van alle in een nis gezette eigenschappen die binnen het werkstuk worden verdeeld dat aan of groter gelijk is dan ongeveer 10% van de nominale dikte van de zaadlaag over een exteriorly geschikte oppervlakte van het werkstuk.