The specification describes a photolithography process using multiple exposures to form z-dimension patterns. Multiple exposures at different thickness levels are made using photomasks aligned with a latent image of alignment marks formed during the first exposure. The latent image is visible to the alignment system of commercial steppers.

De specificatie beschrijft een fotolithografieproces gebruikend veelvoudige blootstelling aan vorm z-afmeting patronen. De veelvoudige blootstelling op verschillende dikteniveaus wordt gebruiken photomasks gericht op een latent beeld van groeperingstekens gemaakt die tijdens de eerste blootstelling worden gevormd. Het latente beeld is zichtbaar aan het groeperingssysteem van commerciële steppers.