The invention is an AlInGaN light-emitting device (LED) that includes a
p-type contact made of highly-reflective material with closely-spaced
openings that increase light extraction efficiency. The minimum dimension
of the openings is 1/4 of the wavelength of the emitted light and is
preferably comparable to the distance current flows laterally in the
p-layers of the device. The openings in the metal occupy 20-80% of the top
surface of the contact and are finely spaced to achieve transparency and
uniform light emission. An optional dielectric encapsulant may be
deposited over the p-type contact to improve the contact's adhesion by
tacking it down at regular intervals, and to improve light extraction. The
surface of the epitaxial layers may be etched in the openings to scatter
light in the semiconductor, increasing light extraction. A reflective
layer may be applied to the bottom surface of the LED to increase the
light extraction efficiency.
Die Erfindung ist eine AlInGaN lichtemittierende Vorrichtung (LED) die eine Part den Kontakt einschließt, der vom hoch-reflektierenden Material mit räumlich knapp bemessenen Öffnungen gebildet wird, die helle Extraktion-Leistungsfähigkeit erhöhen. Das minimale Maß der Öffnungen ist 1/4 der Wellenlänge des ausgestrahlten Lichtes und ist mit den Abstand gegenwärtigen Flüssen seitlich in die Spieler der Vorrichtung vorzugsweise vergleichbar. Die Öffnungen im Metall besetzen 20-80% der Oberfläche des Kontaktes und werden fein gesperrt, um helle Emission des Transparentes und der Uniform zu erzielen. Ein wahlweise freigestelltes dielektrisches encapsulant kann über der Part Kontakt niedergelegt werden, um die Adhäsion des Kontaktes, indem man unten sie in regelmäßigen Abständen zu verbessern, und anheftet, helle Extraktion zu verbessern. Die Oberfläche der Epitaxial- Schichten kann in den Öffnungen geätzt werden, um Licht im Halbleiter zu zerstreuen und helle Extraktion erhöhen. Eine reflektierende Schicht kann an der Grundfläche der LED angewendet werden, um die helle Extraktion-Leistungsfähigkeit zu erhöhen.