The present invention relates to a method of etching a layer on a fabricated thin film transistor in liquid crystal display, which prevents failure of patterns by removing the residues generated from organic material in the air or the remainders of photoresist before patterning a layer. The present invention includes the steps of defining a photoresist pattern on a predetermined region of a layer on substrate, leaving an etch-resistant residue on at least a portion of the layer outside the predetermined region, removing residue by ashing with plasma, patterning the layer with an etchant, where the the photoresist pattern acts as an etch mask.

De onderhavige uitvinding heeft op een methode om een laag op een vervaardigde dunne filmtransistor betrekking in vloeibare kristalvertoning te etsen, die mislukking van patronen door de geproduceerde residu's uit organisch materiaal in de lucht of de resten van photoresist te verwijderen alvorens een laag verhindert te vormen. De onderhavige uitvinding omvat de stappen van het bepalen van een photoresist patroon op een vooraf bepaald gebied dat van een laag op substraat, een etsen-bestand residu op minstens een gedeelte van de laag buiten het vooraf bepaalde gebied verlaat, dat residu verwijdert door met plasma te verbranden, vormend de laag met etchant, waar het photoresist patroon handelt aangezien masker ets.