A method and an apparatus of fabricating a metal interconnection in a contact hole of a semiconductor device reduces contact resistance and improves step coverage. A contact hole is opened in an interlayer insulating film formed on a semiconductor substrate. A conductive layer used as an ohmic contact layer is formed on the interlayer insulating film including the contact hole. An upper surface of the conductive layer is nitrided to form a protective layer. An ALD (atomic layer deposition)-metal barrier layer is formed on the protective layer. The resulting metal barrier layer has good step coverage and no impurities, and the protective layer prevents defects in the conductive layer caused by precursor impurities used during the formation of the metal barrier layer.

Eine Methode und ein Apparat des Fabrizierens einer Metallverbindung in einer Kontaktbohrung eines Halbleiterelements verringert Kontaktwiderstand und verbessert Schrittdeckung. Eine Kontaktbohrung ist in einem isolierenden Film der Zwischenlage geöffnet, der auf einem Halbleitersubstrat gebildet wird. Eine leitende Schicht, die als ohmsche Kontaktschicht verwendet wird, wird auf dem isolierenden Film der Zwischenlage einschließlich die Kontaktbohrung gebildet. Eine Oberfläche der leitenden Schicht ist nitrided, um eine schützende Schicht zu bilden. Ein ALD (Atomschicht Deposition)metallgrenzschicht wird auf der schützenden Schicht gebildet. Die resultierende Metallgrenzschicht hat gute Schrittdeckung und keine Verunreinigungen, und die schützende Schicht verhindert Defekte in der leitenden Schicht, die durch die Vorläuferverunreinigungen verursacht wird, die während der Anordnung der Metallgrenzschicht benutzt werden.