A semiconductor thin film comprises an n-type compound semiconductor layer including at least one element from each of groups Ib, IIIb, VIb and II. A solar cell using this semiconductor thin film comprises a substrate and a rear electrode, a p-type compound semiconductor layer, an n-type compound semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, a window layer, and a transparent conductive film, formed in this order on the substrate. The n-type compound semiconductor layer including at least one element from each of groups Ib, IIIb, VIb and II has a high carrier density.

Пленка полупроводника тонкая состоит из слоя составного полупроводника н-tipa включая по крайней мере один элемент от каждой из групп Ib, IIIb, VIb и II. Фотоэлемента используя эту пленку полупроводника тонкую состоит из субстрата и заднего электрода, слоя составного полупроводника п-tipa, слоя составного полупроводника н-tipa, слоя полупроводника н-tipa, слоя окна, и прозрачной проводной пленки, сформированной в этом заказе на субстрате. Слой составного полупроводника н-tipa включая по крайней мере один элемент от каждой из групп Ib, IIIb, VIb и II имеет высокую плотность несущей.