A design, layout, schematic, netlist, abstract or other equivalent circuit representations for a memory that may have redundant circuitry may be generated from a set of user inputs acquired through a graphical user interface. Based on the user inputs one or more leaf cells is/are generated. Then using the leaf cells, a design database for the layout is generated from the user inputs. The design database reflects physical hierarchies of the layout and may include redundancy circuitry within a data and/or address path, parallel to a non-redundant data and/or address path within the layout. The above-mentioned parameters described by the user inputs may include an array size, a defect rate, and/or a leaf cell design, layout or schematic. This scheme may be embodied as a set of computer-readable instructions, for example to be executed by a computer system. The user may rearrange the memory array architecture by changing a parameter selected from the group consisting of array size, defect rate, line width, line spacing, line length, gate width, transistor spacing, gate length, transistor length, resistivity, capacitance, and other physical and/or electrical device parameters.

Un diseño, la disposición, el diagrama esquemático, el netlist, el extracto u otras representaciones del circuito equivalente para una memoria que pueda tener trazado de circuito redundante se pueden generar de un sistema de entradas del usuario adquiridas a través de un interfaz utilizador gráfico. De acuerdo con el usuario entra unas o más células de la hoja se genera. Entonces usando las células de la hoja, una base de datos del diseño para la disposición se genera de las entradas del usuario. La base de datos del diseño refleja las jerarquías físicas de la disposición y puede incluir el trazado de circuito de la redundancia dentro de una trayectoria de los datos y/o de la dirección, ser paralelo a a una trayectoria no-redundante de los datos y/o de la dirección dentro de la disposición. Los parámetros antedichos descritos por las entradas del usuario pueden incluir un tamaño del arsenal, una tarifa del defecto, y/o un diseño de la célula de la hoja, una disposición o un diagrama esquemático. Este esquema se puede incorporar como sistema de instrucciones legibles por computador, por ejemplo de ser ejecutado por un sistema informático. El usuario puede cambiar la arquitectura del arsenal de la memoria cambiando un parámetro seleccionado del tamaño del arsenal del grupo que consiste en, de la tarifa del defecto, de la línea anchura, de la línea espaciamiento, de la línea longitud, de la anchura de la puerta, del espaciamiento del transistor, de la longitud de la puerta, de la longitud del transistor, de la resistencia, de la capacitancia, y de otros parámetros del dispositivo físico y/o eléctrico.