A method of forming a multi-layered interconnect structure is provided. A first conductive pattern is formed over an insulation layer. A first dielectric material is deposited over the first conductive pattern, and plugs are formed in the first dielectric material. A second conductive pattern is formed over the first dielectric material and plugs so as to form the multi-layered interconnect structure in part. Then, the first dielectric material is stripped away to leave the multi-layered interconnect structure exposed to air. A thin layer of second dielectric material is deposited so as to coat at least a portion of the interconnect structure. Next, a thin layer of metal is deposited so as to coat the at least a portion of the interconnect structure coated with the thin layer of second dielectric material. A third dielectric material is deposited over the interconnect structure to replace the stripped away first dielectric material.

Un método de formar una estructura de varias capas de la interconexión se proporciona. Un primer patrón conductor se forma sobre una capa del aislamiento. Un primer material dieléctrico es excedente depositado el primer patrón conductor, y los enchufes se forman en el primer material dieléctrico. Un segundo patrón conductor es excedente formado el primer material y enchufes dieléctricos para formar la estructura de varias capas de la interconexión en parte. Entonces, el primer material dieléctrico se pela lejos para salir de la estructura de varias capas de la interconexión expuesta al aire. Una capa delgada del segundo material dieléctrico se deposita para cubrir por lo menos una porción de la estructura de la interconexión. Después, una capa delgada del metal se deposita para cubrir por lo menos la porción de la estructura de la interconexión cubierta con la capa delgada del segundo material dieléctrico. Un tercer material dieléctrico se deposita sobre la estructura de la interconexión para substituir lejos pelado el primer material dieléctrico.