A static random access memory (SRAM) system that includes a five-transistor SRAM cell and a cell voltage control circuit coupled to provide power to the SRAM cell. The cell voltage control circuit supplies the SRAM cell with the V.sub.CC supply voltage if the SRAM cell is not being written (i.e., during a read mode or a standby mode). If the SRAM cell is being written, the cell voltage control circuit supplies the SRAM cell with a cell voltage that is less than the V.sub.CC supply voltage. The lower cell voltage weakens pull-down transistors in the SRAM cell, thereby enabling logic high values to be written to the SRAM cell. In one embodiment, the cell voltage is less than the V.sub.CC supply voltage minus the threshold voltage of an access transistor of the SRAM cell. The cell voltage is high enough to enable the SRAM cell to reliably store data during a write disturb condition. A method of operating the five-transistor SRAM cell includes the steps of (1) powering the SRAM cell with a V.sub.CC supply voltage during a read mode, (2) powering the SRAM cell with the V.sub.CC supply voltage during a standby mode, and (3) powering the SRAM cell with a cell voltage less than the V.sub.CC supply voltage during a write mode.

Ένα στατικό τυχαίο σύστημα μνήμης πρόσβασης (SRAM) που περιλαμβάνει ένα κύτταρο πέντε-κρυσταλλολυχνιών SRAM και ένα κύκλωμα ελέγχου τάσης κυττάρων που συνδέονται για να προβλέψει την εξουσία στο κύτταρο SRAM. Το κύκλωμα ελέγχου τάσης κυττάρων εφοδιάζει το κύτταρο SRAM με την τάση ανεφοδιασμού V.sub.CC εάν το κύτταρο SRAM δεν γράφεται (δηλ., κατά τη διάρκεια ενός διαβασμένου τρόπου ή ενός εφεδρικού τρόπου). Εάν το κύτταρο SRAM γράφεται, το κύκλωμα ελέγχου τάσης κυττάρων εφοδιάζει το κύτταρο SRAM με μια τάση κυττάρων που είναι λιγότερο από την τάση ανεφοδιασμού V.sub.CC. Η χαμηλότερη τάση κυττάρων αποδυναμώνει pull-down τις κρυσταλλολυχνίες στο κύτταρο SRAM, με αυτόν τον τρόπο επιτρέποντας στις υψηλές τιμές λογικής για να γραφτεί στο κύτταρο SRAM. Σε μια ενσωμάτωση, η τάση κυττάρων είναι λιγότερο από την τάση ανεφοδιασμού V.sub.CC μείον την τάση αισθητηριακών ουδών μιας κρυσταλλολυχνίας πρόσβασης του κυττάρου SRAM. Η τάση κυττάρων είναι αρκετά υψηλή να επιτρέψει στο κύτταρο SRAM για να αποθηκεύσει σοβαρά τα στοιχεία κατά τη διάρκεια γράφει ενοχλεί τον όρο. Μια μέθοδος το κύτταρο πέντε-κρυσταλλολυχνιών SRAM περιλαμβάνει τα βήματα (1) της ισχύος του κυττάρου SRAM με μια τάση ανεφοδιασμού V.sub.CC κατά τη διάρκεια ενός διαβασμένου τρόπου, (2) ισχύς το κύτταρο SRAM με την τάση ανεφοδιασμού V.sub.CC κατά τη διάρκεια ενός εφεδρικού τρόπου, και (3) ισχύς το κύτταρο SRAM με μια τάση κυττάρων λιγότερο από η τάση ανεφοδιασμού V.sub.CC κατά τη διάρκεια γράφει τον τρόπο.