An embodiment of the instant invention is a method of fabricating an electronic device formed on a semiconductor wafer, the method comprising the steps of: forming a conductive structure over the substrate, the conductive structure comprised of an oxygen-sensitive conductor; forming a layer of dielectric material over the conductive structure (step 306 of FIG. 1); forming a photoresist layer over the layer of the dielectric material (step 308 of FIG. 1); patterning the layer of the dielectric material (step 308); removing the photoresist layer after patterning the layer of the dielectric material (step 312 of FIG. 1); and subjecting the semiconductor wafer to a plasma which incorporates the combination of hydrogen or deuterium and a fluorine-containing mixture which is comprised of a gas selected from the group consisting of: CF.sub.4, C.sub.2 F.sub.6, CHF.sub.3, CFH.sub.3 and other fluorine-containing hydrocarbon (step 313 of FIG. 1).

Eine Verkörperung der sofortigen Erfindung ist eine Methode des Fabrizierens einer elektronischen Vorrichtung, die auf einem Halbleiterplättchen, die Methode gebildet wird, welche die Schritte von enthält: Formung eine leitende Struktur über dem Substrat, die leitende Struktur enthalten von einem sauerstoffempfindlichen Leiter; Formung einer Schicht dielektrischen Materials über der leitenden Struktur (Schritt 306 von FIG. 1); Formung einer Photoschicht über der Schicht des dielektrischen Materials (Schritt 308 von FIG. 1); patterning die Schicht des dielektrischen Materials (Schritt 308); die Photoschicht entfernen, nachdem die Schicht des dielektrischen Materials patterning (Schritt 312 von FIG. 1); und das Unterwerfen des Halbleiterplättchens einem Plasma, das die Kombination des Wasserstoffs oder des Deuteriums und der fluorhaltigen Mischung enthält, die von einem Gas enthalten wird, wählte von der Gruppe vor, die aus besteht: CF.sub.4, C.sub.2 F.sub.6, CHF.sub.3, CFH.sub.3 und anderer fluorhaltiger Kohlenwasserstoff (Schritt 313 von FIG. 1).