A microelectronic semiconductor interconnect structure barrier and method of deposition provide improved conductive barrier material properties for high-performance device interconnects. The barrier comprises a dopant selected from the group consisting of platinum, palladium, iridium, rhodium, and tin. The barrier can comprise a refractory metal selected from the group consisting of tantalum, tungsten titanium, chromium, and cobalt, and can also comprise a third element selected from the group consisting of carbon, oxygen and nitrogen. The dopant and other barrier materials can be deposited by chemical-vapor deposition to achieve good step coverage and a relatively conformal thin film with a good nucleation surface for subsequent metallization such as copper metallization in one embodiment, the barrier suppresses diffusion of copper into other layers of the device, including the inter-metal dielectric, pre-metal dielectric, and transistor structures.

Микроэлектронные барьер структуры interconnect полупроводника и метод низложения обеспечивают улучшенный проводной барьер материальные, котор свойства для high-performance приспособления соединяют. Барьер состоит из dopant выбранного от платины, палладиума, иридия, родия, и олова группы consist of. Барьер может состоять из тугоплавкого металла выбранного от тантала группы consist of, титана вольфрама, хромия, и кобальта, и может также состоять из третьего элемента выбранного от углерода, кислорода и азота группы consist of. Dopant и другие материалы барьера могут быть депозированы низложением химикат-para для того чтобы достигнуть хорошего охвата шага и относительно конформная тонкая пленка с хорошей поверхностью нуклеации для затем металлизирования such as медное металлизирование в одном воплощении, барьер подавляет диффузию меди в другие слои приспособления, включая диэлектрик взаимо--metalla, диэлектрик пре-metalla, и структуры транзистора.