A method for forming a silicon oxide film, SiO.sub.x, where X=1 or 2, on an electrode of a thin film transistor, e.g., for a liquid crystal display device. The method includes the steps of: forming an electrode on a substrate; forming an organic silicon-containing thin film on exposed surfaces of the electrode and the substrate; providing a gaseous atmosphere of oxygen or air about the electrode and the substrate; and irradiating the thin film with ultra violet light to produce radicals, including silicon radicals, from the thin film. The irradiation also produces oxygen radicals from the atmosphere. The silicon and oxygen radicals react to form the silicon oxide.

Un método para formar una película del óxido del silicio, SiO.sub.x, donde X=1 o 2, en un electrodo de un transistor de la película fina, e.g., para un dispositivo del indicador de cristal líquido. El método incluye los pasos de: formación de un electrodo en un substrato; formación de una película fina silicio-que contiene orgánica en las superficies expuestas del electrodo y del substrato; abastecimiento de una atmósfera gaseosa del oxígeno o del aire sobre el electrodo y el substrato; e irradiando la película fina con la luz ultra violeta para producir radicales, incluyendo radicales del silicio, de la película fina. La irradiación también produce radicales del oxígeno de la atmósfera. Los radicales del silicio y del oxígeno reaccionan para formar el óxido del silicio.