A method of limiting surface damage during reactive ion etching of an organic polymer layer on a semiconductor substrate combines particular choices of process gases and plasma conditions with a post-etch passivation treatment. According to the method, a low density plasma etcher is used with a process gas mixture of one or more of an inert gas such as argon, helium, or nitrogen; methane; hydrogen; and oxygen, where the percentage of oxygen is up to about 5%. Typically a parallel plate plasma etcher is used. The reactive ion etching is followed by a post-etch passivation treatment in a which a gas containing hydrogen is flowed over the etched layer at an elevated temperature. The method is particularly useful in reactive ion etching of fluorinated organic polymer layers such as films formed from parylene AF4, and layers of poly(arylene ethers) and TEFLON.RTM..

Μια μέθοδος τη ζημία επιφάνειας κατά τη διάρκεια της αντιδραστικής ιονικής χαρακτικής ενός οργανικού πολυμερούς στρώματος σε ένα υπόστρωμα ημιαγωγών συνδυάζει τις ιδιαίτερες επιλογές των αερίων διαδικασίας και οι όροι πλάσματος με μετα-χαράζουν την επεξεργασία παθητικότητας. Σύμφωνα με τη μέθοδο, τη χαμηλή πυκνότητα ένα πλάσμα etcher χρησιμοποιείται με ένα μίγμα διαδικασίας αέριο ένας ή περισσότεροι από έναν αδρανή αέριο όπως το αργό, το ήλιο, ή το άζωτο μεθάνιο υδρογόνο και οξυγόνο, όπου το ποσοστό του οξυγόνου είναι μέχρι περίπου 5%, Χαρακτηριστικά ένα παράλληλο πλάσμα πιάτων etcher χρησιμοποιείται. Η αντιδραστική ιονική χαρακτική ακολουθείται από μετα-χαράζει την επεξεργασία παθητικότητας που ένα αέριο περιέχον υδρογόνο ρέεται πέρα από το χαραγμένο στρώμα σε μια ανυψωμένη θερμοκρασία. Η μέθοδος είναι ιδιαίτερα χρήσιμη στην αντιδραστική ιονική χαρακτική των φθοριωμένων οργανικών πολυμερών στρωμάτων όπως οι ταινίες που διαμορφώνονται από parylene AF4, και τα στρώματα των αιθέρων poly(arylene) και ΤΕΦΛΟΝ RTM ..