An improved and novel magnetic element (10; 10'; 50; 50'; 80) including a plurality of thin film layers wherein the bit end magneto-static demagnetizing fields cancel the total positive coupling of the structure to obtain dual magnetic states in a zero external field. Additionally disclosed is a method of fabricating a magnetic element (10) by providing a plurality of thin film layers wherein the bit end magneto-static demagnetizing fields of the thin film layers cancel the total positive coupling of the structure to obtain dual magnetic states in a zero external field.

Um elemento magnético melhorado e da novela (10; 10'; 50; 50'; 80) including um plurality de camadas da película fina wherein os campos demagnetizing magnetostáticos da extremidade do bocado cancelam o acoplamento positivo total da estrutura para obter estados magnéticos duplos em um campo externo zero. É divulgado adicionalmente um método de fabricar um elemento magnético (10) fornecendo um plurality de camadas da película fina wherein os campos demagnetizing magnetostáticos da extremidade do bocado das camadas da película fina cancelam o acoplamento positivo total da estrutura para obter estados magnéticos duplos em um campo externo zero.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Method for forming a ferroelectric capacitor under the bit line

> Flourescent lamp with uniform output

> (none)

~ 00016