In a semiconductor laser which uses a semiconductor of GaN type compound, an optimum material is used for a current blocking layer, so that it is made possible to obtain a semiconductor laser that satisfies a gain guiding structure of high light emitting efficiency or a refractive index guiding structure or both, thereby facilitating control of the noise of oscillated light (reduction of noise), control of the spread of light in lateral direction, and control of the longitudinal mode.

In un laser a semiconduttore che usa un semiconduttore del tipo residuo di GaN, un materiale ottimale è usato per uno strato ostruente corrente, di modo che è permesso ottenere un laser a semiconduttore che soddisfa una struttura guidante di guadagno di alta efficienza d'emissione chiara o una struttura guidante o entrambe di indice di rifrazione, quindi facilitante il controllo del rumore di luce oscillata (riduzione di rumore), il controllo della diffusione di luce nel senso laterale ed il controllo del modo longitudinale.