Disclosed is a washing solution of a semiconductor substrate which comprises 0.0001 to 0.1% by weight of an organic acid and 0.005 to 0.25 % by weight of hydrofluoric acid and has pH of 2 to 4. When a contaminated substrate is immersed in a washing solution, a naturally oxidized film on the surface of the substrate is removed by hydrofluoric acid, and fine particles on the film, metal impurities and metal impurities in the film transfer to the liquid. Since the washing solution is an acidic solution containing an organic acid and having pH of 2 to 4, fine particles are charged to minus as those of the fine particles, and the metal impurities ions in the liquid becomes minus complex ions due to complexing effect of the organic acid. As the results, surface potentials of the respective fine particles and metal impurities are each minus which is the same as that of surface potential of the substrate so that adhesion or re-adhesion to the substrate can be prevented.

È rilevato una soluzione lavarsi di un substrato a semiconduttore che contiene 0.0001 - 0.1% del peso di un acido organico e 0.005 - 0.25 % del peso di acido fluoridrico ed ha pH di 2 - 4. Quando un substrato contaminato è immerso in una soluzione di lavaggio, una pellicola naturalmente ossidata sulla superficie del substrato è rimossa da acido fluoridrico e dalle particelle fini sulla pellicola, sulle impurità del metallo e sulle impurità del metallo nel trasferimento della pellicola nel liquido. Poiché la soluzione di lavaggio è una soluzione silicea che contiene un acido organico e che ha pH di 2 - 4, le particelle fini sono caricate al meno come quelle delle particelle fini e gli ioni delle impurità del metallo nel liquido diventa meno gli ioni complessi dovuto effetto complessante dell'acido organico. Come i risultati, i potenziali di superficie delle particelle fini e delle impurità rispettive del metallo sono ciascuno meno cui sia lo stesso di quello di potenziale di superficie del substrato in moda da potere evitare adesione o l're-adesione al substrato.