The present invention provides a thin film transistor, wherein the semiconductor channel region is patterned. Gate electrodes 102, gate insulating film 103, source electrodes 104, and drain electrodes 105 are formed on a glass substrate 101. A patterned insulating film is formed thereon, and a part of the film in the region 110 on the gate electrode is removed. An organic semiconductor film is formed thereon by vapor deposition. The organic semiconductor film 107 in the region 110, where the patterned insulating film is removed, becomes a channel region, and is separated from the organic semiconductor film 108 on the patterned insulating film 106. Therefore, the organic semiconductor channel region is patterned to have the same size as the gate electrode. In accordance with the present invention, a thin film transistor, wherein the semiconductor region is patterned precisely, becomes available.

La présente invention fournit un transistor de la couche mince, où la région de canal de semi-conducteur est modelée. Les électrodes de porte 102, le film isolant 103 de porte, les électrodes 104 de source, et les électrodes 105 de drain sont formés sur un substrat de verre 101. Un film isolant modelé est formé là-dessus, et une partie du film dans la région 110 sur l'électrode de porte est enlevée. Un film organique de semi-conducteur est formé là-dessus par le dépôt de vapeur. Le film organique 107 de semi-conducteur dans la région 110, où le film isolant modelé est enlevé, devient une région de canal, et est séparé du film organique 108 de semi-conducteur sur le film isolant modelé 106. Par conséquent, la région organique de canal de semi-conducteur est modelée pour avoir la même taille que l'électrode de porte. Selon la présente invention, un transistor de la couche mince, où la région de semi-conducteur est modelée avec précision, devient disponible.