A solid state laser device made from a nonlinear optic quaternary alloy of Silver, Gallium, Selenium and Tellurium semiconductor material or Silver, Gallium, Sulfur and Tellurium semiconductor material. The Tellurium component in each alloy provides quaternary alloying anion modification of an underlying ternary semiconductor crystal and achieves tuning of the birefringence and tuning of the wavelength passband of the semiconductor material. The tuned quaternary alloy enables beam walkoff-free noncritical phase match operation of the laser device including use of a phase match angle supporting optimum use of the material's nonlinear properties, maximized useful length of the material crystal, room temperature wavelength changing operation, significantly increased second order nonlinear susceptibility, a factor of ten reduction in the walk-off angle and photon energy conversion efficiencies several times those usually achieved. The Tellurium alloy component also accomplishes shifting of the semiconductor material energy absorption characteristic to avoid a preferred laser pump wavelength energy absorption peak and assists in circumvention of the thermal lensing phenomenon in the crystal. The accomplished laser device provides infrared energy output while operating in for example either the second harmonic generation or the optical parametric oscillation configurations. Examples involving both related materials and the sought after quaternary materials are included.

Een laserapparaat in vaste toestand maakte van een niet-lineaire optische quaternaire legering van de halfgeleidermateriaal van het Zilver, van het Gallium, van het Selenium en van het Tellurium of de halfgeleidermateriaal van het Zilver, van het Gallium, van de Zwavel en van het Tellurium. De component van het Tellurium in elke legering verstrekt quaternaire het legeren anionwijziging van een onderliggend ternair halfgeleiderkristal en bereikt het stemmen van de dubbele breking en het stemmen van golflengtepassband van het halfgeleidermateriaal. De gestemde quaternaire legering laat de gelijkeverrichting van de straal walkoff-vrije onkritische fase van het laserapparaat met inbegrip van toe gebruik van een hoek van de fasegelijke gang-weg ondersteunend optimaal gebruik van de niet-lineaire eigenschappen van het materiaal, de gemaximaliseerde nuttige lengte van het materiële kristal, de veranderende verrichting van de kamertemperatuurgolflengte, de beduidend verhoogde tweede orde niet-lineaire gevoeligheid, een factor van vermindering tien van de hoek en fotonefficiency van de energieomzetting verscheidene keren gewoonlijk bereikte die. De de legeringscomponent van het Tellurium verwezenlijkt ook het verplaatsen van de absorptie van de halfgeleider materiële energie kenmerkend om een aangewezen van de de golflengteenergie van de laserpomp te vermijden de absorptiepiek en woont in ontwijking van het thermische lensing fenomeen bij in het kristal. Het verwezenlijkte laserapparaat verstrekt infrarode energieoutput terwijl het werken in bijvoorbeeld of de tweede harmonische generatie of de optische parametrische schommelingsconfiguraties. De voorbeelden die zowel verwante materialen als de gezochte quaternaire materialen impliceren zijn inbegrepen.