A semiconductor device 14 capable of reducing the warpage in a substrate is provided. A semiconductor chip 12 is mounted on a substrate 10 made of an electro-insulating material by flip-chip bonding, so that connector terminals formed on the substrate 10 are connected to electrodes of the semiconductor chip 12 and a gap between the substrate 10 and the semiconductor chip 12 is filled with an underfiller 18. According to the present invention, in the semiconductor device 14, none of sides of the substrate 10 is parallel to any one of sides of the semiconductor chip 12, and none of diagonal lines S of the substrate 10 coincides with any one of diagonal lines T of the semiconductor chip 12.

Un dispositivo 14 a semiconduttore capace di riduzione della distorsione in un substrato è fornito. Un circuito integrato 12 a semiconduttore è montato su un substrato 10 ha fatto di un materiale elettrotipia-isolante da bonding del lanci-circuito integrato, di modo che i terminali del connettore formati sul substrato 10 sono collegati agli elettrodi del circuito integrato 12 a semiconduttore e uno spacco fra il substrato 10 ed il circuito integrato 12 a semiconduttore è colmato di underfiller 18. Secondo la presente invenzione, nel dispositivo 14 a semiconduttore, nessuno dei lati del substrato 10 è parallelo a qualunque dei lati del circuito integrato 12 a semiconduttore e nessuna delle linee S della diagonale del substrato 10 coincide con qualunque delle linee T della diagonale del circuito integrato 12 a semiconduttore.