Disclosed is a method for fabricating a white LED which comprises, as a single active layer, an InGaN thin film which enables emission of white light. The InGaN thin film is constructed by taking advantage of the spinodal decomposition of the ternary compound and rapid thermal annealing. When growing the InGaN thin film on an n-type GaN formed on a sappier substrate under a growth condition, the thin film undergoes spinodal decomposition into two phases which show photoluminescence of a wavelength range from violet to blue and from green to blue, respectively, after which the surface of the thin film is thermally stabilized by rapid thermal annealing and the photoluminescence of the In-deficient phase is improved, so as to give intensive white photoluminescence to the InGaN single active layer. The LED which recruits such a single active InGaN thin film is superb in light emission efficiency and can be fabricated in a significantly reduced process steps.

Se divulga un método para fabricar un LED blanco que abarque, como sola capa activa, una película fina de InGaN que permita la emisión de la luz blanca. La película fina de InGaN es construida aprovechándose de la descomposición spinodal del recocido termal compuesto y rápido ternario. Cuando el crecimiento de la película fina de InGaN en un n-tipo GaN formó en un substrato más sappier bajo condición del crecimiento, la película fina experimenta la descomposición spinodal en dos fases que demuestren que photoluminescence de una gama de longitud de onda de violeta al azul y de verde al azul, respectivamente, después de lo cual la superficie de la película fina es estabilizada termal por el recocido termal rápido y el photoluminescence de la fase En-deficiente se mejora, para dar photoluminescence blanco intensivo a la sola capa activa de InGaN. El LED que recluta una tan sola película fina activa de InGaN es magnífico en eficacia ligera de la emisión y se puede fabricar en los pasos de proceso perceptiblemente reducidos.