In semiconductor devices such as laser diodes (LD) and light emitting diodes (LED) based on gallium nitride thin films, low defect density is desired in the gallium nitride film. In the fabrication of such devices on a silicon carbide substrate surface, the gallium nitride film is formed on the silicon carbide substrate after the substrate surface is etched using hydrogen at an elevated temperature. In another embodiment, an aluminum nitride film is formed as a buffer layer between the gallium nitride film and the silicon carbide substrate, and, prior to aluminum nitride formation, the substrate surface is etched using hydrogen at an elevated temperature.

In dispositivi a semiconduttore quali i diodi del laser (LD) ed i diodi luminescenti (LED) basati sulle pellicole sottili del nitruro del gallio, la densità bassa di difetto è voluta nella pellicola del nitruro del gallio. Nella lavorazione di tali dispositivi su una superficie del substrato del carburo del silicone, la pellicola del nitruro del gallio è formata sul substrato del carburo del silicone dopo che la superficie del substrato sia incisa usando l'idrogeno ad una temperatura elevata. In un altro incorporamento, una pellicola di alluminio del nitruro è formata come strato dell'amplificatore fra la pellicola del nitruro del gallio ed il substrato del carburo del silicone e, prima di formazione di alluminio del nitruro, la superficie del substrato è inciso usando l'idrogeno ad una temperatura elevata.