The invention relates to a method for selective etching of SiC, the etching being carried out by applying a positive potential to a layer (3; 8) of p-type SiC being in contact with an etching solution containing fluorine ions and having an oxidising effect on SiC. The invention also relates to a method for producing a SiC micro structure having free hanging parts (i.e. diaphragm, cantilever or beam) on a SiC-substrate, a method for producing a MEMS device of SiC having a free hanging structure, and a method for producing a piezo-resistive pressure sensor comprising the step of applying a positive potential to a layer (8) of p-type SiC being in contact with an etching solution containing fluorine ions and having an oxidising effect on SiC.

L'invenzione riguarda un metodo per acquaforte selettiva di SiC, acquaforte che è effettuata applicando un potenziale positivo ad uno strato (3; 8) di p-tipo SiC che è in contatto con una soluzione acquaforte che contiene gli ioni del fluoro e che ha un effetto d'ossidazione su SiC. L'invenzione inoltre si riferisce ad un metodo per produrre una micro struttura di SiC che ha parti liberamente appendenti (cioè diaframma, a mensola o fascio) su un SiC-substrato, ad un metodo per produrre un dispositivo di MEMS di SiC che ha una struttura appendente libera e ad un metodo per produrre un sensore piezo-resistive di pressione che contiene il punto l'applicazione del potenziale positivo ad uno strato (8) di p-tipo SiC che è in contatto con una soluzione acquaforte che contiene gli ioni del fluoro e che ha un effetto d'ossidazione su SiC.

 
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