In a chamber, a substrate is mounted on a susceptor and then heated to an elevated temperature. Source and diluting gases are supplied into the chamber through source and diluting gas supply pipes provided with respective flow meters. In addition, a doping gas is also supplied through an additive gas supply pipe, which is provided with a pulse valve, and a gas inlet pipe into the chamber by repeatedly opening and closing the pulse valve. In this manner, a doped layer is grown epitaxially on the substrate. In this case, a pulsed flow of the doping gas is directly supplied through the pulse valve onto the substrate from the outlet port of a pressure reducer for a doping gas cylinder. As a result, a steeply rising dopant concentration profile appears in a transition region between the substrate and the doped layer, and the surface of the doped layer is planarized.

In een kamer, wordt een substraat opgezet op een susceptor en aan een opgeheven temperatuur dan verwarmd. De bron en het verdunnen van gassen worden in de kamer door bron en het verdunnen van de pijpen van de gaslevering die van respectieve stroommeters worden voorzien geleverd. Bovendien wordt een het smeren gas ook geleverd door een bijkomende pijp van de gaslevering, die wordt voorzien van een impulsklep, en een pijp van de gasinham in de kamer door de impulsklep herhaaldelijk te openen en te sluiten. Op deze wijze, wordt een gesmeerde laag gekweekt epitaxially op het substraat. In dit geval, wordt een gepulseerde stroom van het het smeren gas direct geleverd door de impulsklep op het substraat van de afzethaven van een drukreductiemiddel voor een het smeren gascilinder. Dientengevolge, verschijnt een steil toenemend profiel van de additiefconcentratie in een overgangsgebied tussen het substraat en de gesmeerde laag, en de oppervlakte van de gesmeerde laag is planarized.