A process for the formation of shaped Group III-V semiconductor nanocrystals comprises contacting the semiconductor nanocrystal precursors with a liquid media comprising a binary mixture of phosphorus-containing organic surfactants capable of promoting the growth of either spherical semiconductor nanocrystals or rod-like semiconductor nanocrystals, whereby the shape of the semiconductor nanocrystals formed in said binary mixture of surfactants is controlled by adjusting the ratio of the surfactants in the binary mixture.

Ein Prozeß für die Anordnung der geformten Gruppe III-V Halbleiter nanocrystals enthält das In Verbindung treten mit den nanocrystal Vorläufern des Halbleiters mit, die den flüssigen Mitteln sind, die eine binäre Mischung von den phosphorhaltigen organischen Tensiden enthalten, die zur Förderung des Wachstums entweder der kugelförmigen Halbleiter nanocrystals oder Stange-wie Halbleiter nanocrystals fähig sind, hingegen die Form der Halbleiter nanocrystals, die in besagter binärer Mischung der Tenside gebildet werden, gesteuert wird, indem man das Verhältnis der Tenside in der binären Mischung justiert.