A circuit design technique polysilicon thin-film transistor (TFT) circuitry produces circuits that are relatively less sensitive to threshold variations among the TFT's than circuits designed using conventional techniques. The circuit is designed such that thin-film transistors that are sensitive to threshold variations are made larger than other thin-film transistors in the circuitry to minimize threshold variations among similar transistors implemented in the circuit. In one embodiment, a pixel structure for an active matrix display device implemented in polysilicon includes two transistors, a select transistor and a drive transistor. The drive transistor in the pixel structure is a thin film metal oxide silicon (MOS) transistor that includes a gate to source capacitance sufficient to hold an electrical potential which keeps the transistor in a conducting state for an image field interval. One embodiment of the pixel structure includes only the select transistor and the drive transistor. The pixel storage capacitance is entirely realized by the gate to source capacitance of the drive transistor. Another embodiment of the pixel structure includes a capacitor which is much smaller than the capacitor of a conventional active matrix pixel structure. This capacitor holds the pixel in a non-illuminated state when the drive transistor is turned off. This pixel structure may be used with any display technology that uses an active matrix and stores image data on a capacitance in the pixel, including without limitation, organic light emitting diodes, electroluminescent devices, and inorganic light emitting diodes.

Een de techniekpolysilicon van het kringsontwerp thin-film transistor (TFT) schakelschema veroorzaakt kringen die voor drempelvariaties onder TFT'S dan ontworpen kringen die conventionele technieken gebruiken vrij minder gevoelig zijn. De kring wordt ontworpen dusdanig dat thin-film transistors die voor drempelvariaties gevoelig zijn dan andere thin-film transistors in het schakelschema groter worden gemaakt om drempelvariaties onder gelijkaardige transistors te minimaliseren die in de kring worden uitgevoerd. In één belichaming, omvat een pixelstructuur voor een actief apparaat van de matrijsvertoning dat in polysilicon wordt uitgevoerd twee transistors, een uitgezochte transistor en een aandrijvingstransistor. De aandrijvingstransistor in de pixelstructuur is een transistor van het het oxydesilicium van het dunne filmmetaal (MOS) die een poort aan broncapacitieve weerstand voldoende omvat om een elektropotentieel te houden dat de transistor in een leidende staat voor een interval van het beeldgebied houdt. Één belichaming van de pixelstructuur omvat slechts de uitgezochte transistor en de aandrijvingstransistor. De capacitieve weerstand van de pixelopslag wordt volledig gerealiseerd door de poort aan broncapacitieve weerstand van de aandrijvingstransistor. Een andere belichaming van de pixelstructuur omvat een condensator die veel kleiner is dan de condensator van een conventionele actieve structuur van het matrijspixel. Deze condensator houdt het pixel in een niet-verlichte staat wanneer de aandrijvingstransistor wordt uitgezet. Deze pixelstructuur kan met om het even welke vertoningstechnologie worden gebruikt die een actieve matrijs gebruikt en beeldgegevens over een capacitieve weerstand in het pixel opslaat, dat zonder beperking omvat, organisch licht dat dioden, electroluminescent apparaten, en anorganisch licht uitzendt uitzendend dioden.