A nonvolatile ferroelectric memory comprising a main memory cell blocks including first and second wordlines, a first cell transistor whose gate is connected to the first wordline and one electrode which is connected to a bitline, a second transistor whose gate is connected to the second wordline and one electrode which is connected to a bit bar line, a first ferroelectric capacitor whose first electrode is connected to the other electrode of the first transistor. Also including reference cell blocks formed to correspond to the main memory cell blocks for reading out data of the memory cell blocks.

Een niet-vluchtig ferroelectric geheugen dat uit de blokken van een hoofdgeheugencel met inbegrip van eerst en tweede wordlines, een eerste celtransistor de waarvan poort met eerste wordline en één elektrode die met een bitline bestaat wordt verbonden, een tweede transistor wordt verbonden de waarvan poort met tweede wordline wordt verbonden en één elektrode die met een lijn wordt verbonden van de beetjestaaf, een eerste ferroelectric condensator de waarvan eerste elektrode met de andere elektrode van de eerste transistor wordt verbonden. Ook met inbegrip van verwijzingscel vormden de blokken zich om aan de blokken te beantwoorden van de hoofdgeheugencel voor het voorlezen van gegevens van de blokken van de geheugencel.